光刻胶是一种对光敏感的混合液体，通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。
光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种在微电子技术中广泛使用的感光材料，它由感光树脂、增感剂和溶剂组成，通过紫外光、深紫外光、极紫外光、X射线、电子束、离子束等照射或辐射，使其溶解度发生变化，从而在硅片表面形成所需的图形。
一、光刻胶的工作原理
光刻胶的工作原理基于其对特定波长光线的敏感性，在涂覆于硅片或其他衬底上后，光刻胶首先经过软烘焙（Prebake）以去除溶剂，随后，通过掩模版对光刻胶进行选择性曝光，曝光部分的光刻胶会发生化学变化，改变其溶解性，经过曝光后烘焙（Postexposure bake, PEB），进一步增强光刻胶的黏附性和对比度，通过显影过程，将未曝光或已曝光的光刻胶部分去除，留下所需的图形。
二、光刻胶的性能要素
光刻胶的性能直接影响到光刻工艺的效果，其主要性能要素包括分辨率、对比度、敏感度、黏附性、抗蚀性等。
三、光刻胶的分类
光刻胶根据不同的特性可以分为多种类型，按显示效果分类，可分为正性光刻胶和负性光刻胶；按化学结构分类，可分为光聚合型、光分解型、光交联型和化学放大型；按曝光波长分类，可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。
四、应用领域
光刻胶广泛应用于半导体芯片制造、集成电路、分立器件、显示器件以及半导体分立器件的细微图形加工作业中，在半导体制造过程中，光刻胶是实现高精度图形转移的关键材料，其质量和性能直接影响到集成电路的性能、成品率及可靠性。
五、发展趋势
随着半导体技术的不断进步，光刻胶也在不断发展，从最初的紫外光刻胶到现在的极紫外光刻胶，光刻胶的分辨率不断提高，满足了集成电路线宽不断缩小的需求，化学放大光刻胶技术逐渐成为行业应用的主流，提高了光刻胶的光学敏感性和对比度。
光刻胶作为半导体制造的核心材料之一，其发展水平直接关系到集成电路的制程技术进步，随着半导体技术的不断发展，光刻胶将继续向高分辨率、高灵敏度、高稳定性等方向演进，以满足更先进制程技术的需求。
